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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2d electron gas and its distribution in inp-based high-electron-mobility transistors 期刊论文 Acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3677-3682 作者:  Li Dong-Lin;  Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Hemt  Heterojunction  Two dimentional electron gas  Self-consistent calculation   Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3677-3682 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 HEMT  heterojunction  two dimentional electron gas  self-consistent calculation  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  TRANSPORT-PROPERTIES  QUANTUM-WELLS  HEMTS  FREQUENCY  DENSITY