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Existence of bipolar resistive switching with self-rectifying behavior in a p-CuCrO2/n-Si heterostructure
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2022, 卷号: 762
作者:
Cheng, Wangping
;
Li, Chenhui
;
Zhou, Chen
;
He, Yuandi
;
Wei, Renhuai
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/12/23
Resistive random access memory
Resistive switching
Self-rectifying behavior
Copper chromium oxide
Thin film
Solution deposition
Realization of a non-markov chain in a single 2D mineral RRAM
期刊论文
SCIENCE BULLETIN, 2021, 卷号: 66, 期号: 16, 页码: 1634-1640
作者:
Zhang, Rongjie
;
Chen, Wenjun
;
Teng, Changjiu
;
Liao, Wugang
;
Liu, Bilu
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/11/22
2D materials
Mica
Ion transport
RRAM
Non-Markov chain
Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172
作者:
Chen, Xiaoming
;
Niemier, Michael
;
Hu, Xiaobo Sharon
;
Yin, Xunzhao
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2019/04/03
Ferroelectric FET (FeFET)
logic-in-memory (LiM)
nonvolatile (NV) memory
High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2600-2605
作者:
Ma, Pengfei
;
Liang, Guangda
;
Wang, Yiming
;
Li, Yunpeng
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/12/11
Electrode
indium-gallium-zinc oxide (IGZO)
memory window
oxygen
plasma
resistive random access memories (ReRAMs)
retention time
Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
收藏
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Overwhelming coexistence of negative differential resistance effect and RRAM
期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2018, 卷号: 20, 期号: 31, 页码: 20635-20640
作者:
Guo, T.
;
Sun, B.
;
Zhou, Y.
;
Zhao, H. B.
;
Lei, M.
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/09/17
resistive switching memories
film
nanoparticles
mechanisms
filaments
devices
Chemistry
Physics
Light-Emitting Devices Modulated by Multilevel Resistive Memories
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1006-1011
作者:
Yang, X.
;
Shan, C. X.
;
Liu, Q.
;
Jiang, M. M.
;
Lu, Y. J.
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/09/17
light-emitting devices
resistive random access memories
multilevel
switching
diodes
xps
emission
blue
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Optics
Physics
Graphene and Related Materials for Resistive Random Access Memories
期刊论文
Adv. Electron. Mater, 2017
作者:
Long SB(龙世兵)
;
Liu Q(刘琦)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2018/07/13
Light-Tunable Nonvolatile Memory Characteristics in Photochromic RRAM
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2017
Ling, Haifeng
;
Tan, Kangming
;
Fang, Qiyun
;
Xu, Xinshui
;
Chen, Hao
;
Li, Wenwen
;
Liu, Yefan
;
Wang, Laiyuan
;
Yi, Mingdong
;
Huang, Ru
;
Qian, Yan
;
Xie, Linghai
;
Huang, Wei
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
charge trapping
filaments
photochromic memory
resistive switching
RESISTIVE SWITCHING MEMORIES
ELECTRICAL CARRIER-INJECTION
ORGANIC MEMORY
DIARYLETHENE MOLECULES
MULTILEVEL STORAGE
EMITTING-DIODES
DEVICES
TRANSISTOR
ACCEPTOR
DONOR
Fully Coupled Multiphysics Simulation of Crosstalk Effect in Bipolar Resistive Random Access Memory
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 3647-3653
作者:
Li, Shichao
;
Chen, Wenchao
;
Luo, Yandong
;
Hu, Jun
;
Gao, Pingqi
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/12/25
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