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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gate Engineering in SOI LDMOS for Device Reliability 其他 2016-01-01 Aanand; Sheu, Gene; Imam, Syed Sarwar; Lu, Shao Wei; Aryadeep, Chirag; Yang, Shao Ming 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/12/03 A new analytical model for the surface field distribution and optimization of thin film SOI RESURF devices 期刊论文 international journal of electronics, 2002 He, J; Zhang, X; Wang, YY 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 BREAKDOWN VOLTAGE  MOSFETS   Linearly graded doping drift region: A novel lateral voltage-sustaining layer used for improvement of RESURF LDMOS transistor performances 期刊论文 semiconductor science and technology, 2002 He, Jin; Xi, Xuemei; Chan, Mansun; Hu, Chenming; Li, Yingxue; Xing, Zhang; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/11 A concise analytical model for the surface field distribution of TFSOI RESURF devices including interface charge effect 期刊论文 chinese journal of electronics, 2002 He, J; Zhang, X; Huang, R; Wang, YY 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 thin film silicon-on-insulator (TFSOI)  reduced surface field (RESURF)  power devices  surface field  interface charge  breakdown voltage  BREAKDOWN VOLTAGE  SOI  MOSFETS  FILM   RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型 期刊论文 半导体学报, 2001 何进; 张兴 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 RESURF原理  LDMOS功率器件  表面场分布  击穿电压  比导通电阻  优化设计   TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型 期刊论文 半导体学报, 2001 何进; 张兴; 黄如; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/10/23 TFSOI RESURF器件  表面电场分布  电势分布  击穿电压  优化设计   Analytical model of surface field distribution and breakdown voltage for RESURF LDMOS transistor 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 He, Jin; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/17 Novel analytical model for surface electric field distribution and optimization of TFSOI RESURF devices 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 He, Jin; Zhang, Xing; Huang, Ru; Wang, Yang-Yuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/17 Analytical model for the ideal breakdown voltage and optimum doping profile of SOI RESURF LDMOS 期刊论文 chinese journal of electronics, 2001 He, J; Zhang, X; Huang, R; Wang, YY 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 LDMOS  breakdown voltage  silicon-on-insulator (SOI) reduced surface field  (RESURF) structure  optimum doping profile  power device  high voltage power integration circuits (HVIC)  DEVICES