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	体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响期刊论文电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2019/06/21 总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离
	Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254 作者: Yongwei Chang; Jiexin Luo; Jing Chen; Lingda Xu; Zhan Chai 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/13 MOSFET circuits Integrated circuit modeling Semiconductor device modeling Radio frequency MOSFET Analytical models Mathematical model Body contact compact model floating body effects (FBEs) impact ionization partially depleted silicon-on-insulator (PD-SOI) radio frequency (RF) tunnel diode body contact (TDBC)
	体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响期刊论文电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2020/03/19 总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离
	γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响期刊论文红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者: 马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2018/10/18 场效应晶体管可靠性栅氧经时击穿 Γ射线
	Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116 作者: Ma, T (Ma, Teng); Yu, XF (Yu, Xuefeng); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏 \| 浏览/下载：55/0 \| 提交时间：2018/03/14 Reliability Proton Irradiation Radiation Induced Leakage Current (Rilc) Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb) Total Ionizing Does (Tid)
	Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Liu, MX (Liu, Mengxin); Su, DD (Su, Dandan); Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator Total Ionizing Dose Static Random Access Memory Static Noise Margin
	Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 2369-2376 作者: Huang, Huixiang; Wei, Sufen; Tang, Kai; Pan, Jinyan; Xu, Wenbin 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2019/11/26 partially depleted silicon on insulator (PD SOI) Body contact floating body effects (FBEs) tunnel diode
	Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9 作者: Zhou, H (Zhou Hang); Zheng, QW (Zheng Qi-Wen); Cui, JW (Cui Jiang-Wei); Yu, XF (Yu Xue-Feng); Guo, Q (Guo Qi) 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2016/12/12 silicon-on-insulator ionizing radiation hot carriers
	基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究学位论文工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽收藏 \| 浏览/下载：213/0 \| 提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅 KFZ加固单粒子翻转静态随机存储器 silcon-on-insulator(SOI) radiation hardness sigle event upset(SEU) static random access memory(SRAM)
	Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131 Chen, J; Luo, JX; Wu, QQ; Chai, Z; Huang, XL; Wei, X; Wang, X 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2013/04/17 Partially depleted SOI Floating-body effect The kink effect Esaki tunnel Junction Body contact

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