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Sodium Doping-Enhanced Emission Efficiency and Stability of CsPbBr3 Nanocrystals for White Light-Emitting Devices
期刊论文
Chemistry of Materials, 2019, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 3917-3928
作者:
S.Li
;
Z.F.Shi
;
F.Zhang
;
L.T.Wang
;
Z.Z.Ma
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
perovskite quantum dots,inorganic perovskite,halide perovskites,solar-cell,phase,photoluminescence,cspbx3,leds
Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792
作者:
Liu, Ningyang
;
Wang, Lei
;
Song LG(宋力刚)
;
Cao XZ(曹兴忠)
;
Wang BY(王宝义)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2019/10/11
Atom displacement
carrier removal effect
carrier ultrafast dynamics
GaN
indium localization
light-emitting diodes (LEDs)
nonradiative recombination centers (NRCs)
positron annihilation spectroscopy (PAS)
silicon ion irradiation
strain relaxation
Influence of Exciton Localization on the Emission and Ultraviolet Photoresponse of ZnO/ZnS Core-Shell Nanowires
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2015, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 10331-10336
作者:
Fang, X.
;
Z. P. Wei
;
R. Chen
;
J. L. Tang
;
H. F. Zhao
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/07/15
Photoluminescence spectra of 1 MeV electron beam irradiated In0.53Ga0.47As/InP quantum well and bulk materials
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
作者:
Ma, LY (Ma Li-Ya)
;
Li, YD (Li Yu-Dong)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Ai, EK (Ai Er-Ken)
;
Wang, HJ (Wang Hai-Jiao)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/01/25
In0.53ga0.47as/inp
Quantum Well
Electron Beam Irradiation
Photoluminescence
Improved Photoluminescence in InGaN/GaN Strained Quantum Wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 7
Ding, LZ
;
Chen, H
;
He, M
;
Jiang, Y
;
Lu, TP
;
Deng, Z
;
Chen, FS
;
Yang, F
;
Yang, Q
;
Zhang, YL
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/04/14
Temperature Dependence of Emission Properties of Self-Assembled InGaN Quantum Dots
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 11
作者:
Liu, JP (刘建平)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/02/03
LOCALIZATION
STRAIN
LEDS
GaN基蓝绿光LED电应力老化分析
期刊论文
2013
李志明
;
潘书万
;
陈松岩
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/05/17
氮化镓
光衰减
电应力
退化机理
GaN
optical degradation
electrical stresses
degradation mechanism
Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10
Lu, PY
;
Ma, ZG
;
Su, SC
;
Zhang, L
;
Chen, H
;
Jia, HQ
;
Jiang, Y
;
Qian, WN
;
Wang, G
;
Lu, TP
;
He, M
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2014/01/16
Si doping
InGaN
V-shaped defect
Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 9
Sun, H
;
Ji, ZW
;
Wang, HN
;
Xiao, HD
;
Qu, S
;
Xu, XG
;
Jin, AZ
;
Yang, HF
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/01/17
Analysis on the ageing mechanism of GaN-based blue and green LED by electrical stresses
期刊论文
http://dx.doi.org/10.3788/fgxb20133411.1521, 2013
Li, Zhi-Ming
;
Pan, Shu-Wan
;
Chen, Song-Yan
;
陈松岩
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Degradation
Gallium nitride
Leakage (fluid)
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