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高能物理研究所 [2]
半导体研究所 [2]
北京大学 [1]
金属研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2010 [2]
2005 [2]
2002 [2]
学科主题
Physics [2]
半导体材料 [1]
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Production of Graphene Sheets by Direct Dispersion with Aromatic Healing Agents
期刊论文
small, 2010
Zhang, Ming
;
Parajuli, Rishi R.
;
Mastrogiovanni, Daniel
;
Dai, Boya
;
Lo, Phil
;
Cheung, William
;
Brukh, Roman
;
Chiu, Pui Lam
;
Zhou, Tao
;
Liu, Zhongfan
;
Garfunkel, Eric
;
He, Huixin
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/12
doping agents
graphene
healing agents
reparative thermal annealing
transparent conductive oxides
LIQUID-PHASE EXFOLIATION
HIGH-THROUGHPUT
SOLAR-CELLS
GRAPHITE
TRANSPARENT
FILMS
OXIDE
REDUCTION
ELECTRODES
NANOSHEETS
THE GAS MONITORING OF THE BESIII DRIFT CHAMBER
期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS A, 2010, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: #REF!
作者:
Wang XG(王向国)
;
Chen C(陈常)
;
Chen YB(陈元柏)
;
Wu Z(吴智)
;
Ma XY(马骁燕)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/04/12
BESIII drift chamber
monitoring proportional counter (MPC)
full energy peak
Core-level X-ray photoelectron emission spectra of Sr14-xCaxCu24O41
期刊论文
Chinese Journal of Chemical Physics, 2005, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 793-797
F. S. Pan
;
Y. Zeng
;
H. Xie
;
R. Xiong
;
Z. X. Yu
;
W. F. Tang
;
J. Shi
;
S. B. Mo
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/04/14
Sr1-xCaxCu24O41
core-level X-ray photoelectron emission spectra
electronic structure
superconductivity
ladders
system
scattering
crystal
valence
chains
Experimental study of accelerated aging of small cell drift chamber prototype with radioactive source
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2005, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: #REF!
作者:
Chen C(陈昌)
;
Ma YY(马媛媛)
;
Liu JB(刘建北)
;
Chen YB(陈元柏)
;
Jin Y(金毅)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/04/13
drift chamber
aging
anode current
full energy photoelectron peak
Investigation of gan layer grown on si(111) substrate using an ultrathin aln wetting layer
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:
Lu, Y
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Yuan, HR
;
Chen, Z
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Substrates
Heteroepitaxy
Metalorganic chemical vapor deposition
Gallium compounds
Nitrides
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:
Han PD
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浏览/下载:74/5
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提交时间:2010/08/12
substrates
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
INTERMEDIATE LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SAPPHIRE
FILM
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