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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8 作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Sun, Nan;  Zhang, Feng 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/02 vertical field-effect transistor (VFET)  back current blocking layer (BCBL)  gallium nitride (GaN)  normally off power devices