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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Atomic layer deposition deposited high dielectric constant (K) ZrA10(x) gate insulator enabling high performance ZnSnO thin film transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 109, 页码: 852-859 作者:  Huang, Chuan-Xin[1];  Li, Jun[2];  Zhong, De-Yao[3];  Zhao, Cheng-Yu[4];  Zhu, Wen-Qing[5] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/24 Atomic layer deposition  ZrA10(x) gate insulator  ZTO TFTs  PBS stability