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Origination and evolution of point defects in AlN film annealed at high temperature
期刊论文
Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 235
作者:
C. Kai
;
H. Zang
;
J. Ben
;
K. Jiang
;
Z. Shi
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2022/06/13
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Growth of high-quality AlN films on sapphire substrate by introducing voids through growth-mode modification
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 518, 页码: 7
作者:
B. Tang,H. P. Hu,H. Wan,J. Zhao,L. Y. Gong,Y. Lei,Q. Zhao and S. J. Zhou
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1
作者:
Li,Dabing
;
Feng,Zhe Chuan
;
Luo,Xuguang
;
Wang,Yong
;
Kai,Cuihong
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浏览/下载:117/0
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提交时间:2019/08/21
Refractive index
AlN
Threading dislocation density
Nanoscale strain field around dislocations
The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Hu,Wei
;
Die,Junhui
;
Wang,Caiwei
;
Yan,Shen
;
Hu,Xiaotao
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浏览/下载:145/0
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提交时间:2019/05/09
Gallium nitride
Defect preferential passivation
In situ sinx
Dislocation reduction
Prevention effect
Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 775, 页码: 1213-1220
作者:
Y.P.Chen
;
C.H.Zheng
;
L.Q.Hu
;
Y.R.Chen
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
GaN-based ultroviolet photodetectors,ZnO nanorods modification,Screw,dislocation passivation,Photoelectric performance improvement
Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:
Qi Y
;
Wang YY
;
Pang ZQ(庞振乾)
;
Dou ZP
;
Wei TB
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2018/10/30
Effects of proton irradiation on upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 期号: 10, 页码: 36-44
作者:
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ]
;
Fang, L (Fang, L.)[ 2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 1 ]
;
Zhang, QM (Zhang, Q. M.)[ 2 ]
;
Li, ZH (Li, Z. H.)[ 1,3 ]
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/08/07
Upright Metamorphic
Solar Cell
Proton Irradiation
Degradation
Srim
Optimization of hetero-epitaxial growth for the threading dislocation density reduction of germanium epilayers
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2018, 卷号: 488, 页码: 8–15
作者:
Haining Chong
;
Zhewei Wang
;
Chaonan Chen
;
Zemin Xu
;
Ke Wu
;
Lan Wu
;
Bo Xu
;
Hui Ye
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/11/15
Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, Meixin
;
Li, Zengcheng
;
Wang, Jin
;
Zhou, Rui
;
Sun, Qian
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/09/17
Ultraviolet lasers
Aluminum alloys
Aluminum gallium nitride
Aluminum nitride
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Gallium alloys
III-V semiconductors
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Quantum well lasers
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