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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET 期刊论文 2014 张茂添; 刘冠洲; 李成; 王尘; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/17 Ge/SiGe异质结构  肖特基势垒  关态电流  迁移率  掺杂  Ge /SiGe heterosturcture  Schottky barrier  off-state current  mobility  doping   能带改性Si基应变Ge材料的制备及其发光性质 学位论文 2014, 2014 黄诗浩 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/01/12 能带工程  张应变锗  Si基Ge外延材料  绝缘层上硅锗/锗材料  室温光致发光  Si基SiGe/Ge/SiGe异质结构  Band engineering  Tensile strained Ge  Ge-on-Si  SGOI/GOI  Room temperature photoluminescence  Si-based SiGe/Ge/SiGe heterostructures   Si基硒微纳结构的制备及光电特性研究 学位论文 2011, 2011 潘书万 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/02/14 Si基  Se微纳结构  a-Se/n-Si异质结  Se纳米颗粒  Ge量子点  Si/Se超晶格  表面钝化  Si based  Se micro-nano structure  a-Se/n-Si heterojunction  Se NCs  Ge QDs  Si/Se superlattice  surface passivation   Si基Ge/SiGe异质结构设计、外延及发光性质研究 学位论文 2011, 2010 陈阳华 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/02/14 低温Ge缓冲层技术  Si基Ge外延材料  Si基Ge/SiGe异质结构  室温光致发光  low-temperature Ge buffer layer  Si-based Ge epilayer  Si-based tensile-strained Ge/SiGe heterostructures  room temperature photoluminescence   Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文 2009 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 低维无机非金属材料  量子阱  光致发光谱  弛豫缓冲层  low dimensional inorganic nonmetallic material  quantum well  luminescence  relaxed buffer layer   Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究 学位论文 2008, 2008 蔡坤煌 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/02/14 SiGe弛豫衬底  SiGeOI缓冲层  氧化  Ge浓缩  SiGe buffer layer  SiGeOI layer  Oxidation  Ge-condensation