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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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Growth of high quality semi-insulating inp single crystal by suppression of compensation defects
期刊论文
Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 75-77
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
收藏
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Defect
Semi-insualting
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 75-77
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
semi-insualting
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
SEMI-INSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FE
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