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SEU sensitivity and large spacing TMR efficiency of Kintex-7 and Virtex-7 FPGAs
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2022, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 2
作者:
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Fan, Xue
;
Liu, Tianqi
;
Ke, Lingyun
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2021/12/09
Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1]
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/06/21
SRAM cells
Radiation effects
Arrays
Stability criteria
Circuit stability
Voltage measurement
Logic gates
Stability
static random-access memory (SRAM) cell
total ionizing dose (TID)
Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Design, Application, and Verification of the Novel SEU Tolerant Abacus-Type Layouts
期刊论文
ELECTRONICS, 2021, 卷号: 10, 期号: 23, 页码: 11
作者:
Sun, Yi
;
Li, Zhi
;
He, Ze
;
Chi, Yaqing
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/04/11
D flip-flop
double interlocked storage cell
single event upset
Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 7
作者:
Yu, Jian
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Gao, Shuai
;
Liu, Tianqi
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/01/24
Heavy ions
Irradiation
Hardened
Single event upset
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:
Wang, Shu
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Huang, Zhiqin
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/12/08
SerDes
SRAM-based FPGA
Single Event Upset
Single Event Functional Interrupt
SRAM型FPGA的SEU容错技术研究
学位论文
中国科学院光电技术研究所: University of Chinese Academy of Sciences, 2021
作者:
钟敏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2021/06/28
Sram型fpga,bram,cram,seu,mbu
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
Influence of Orbital Parameters on SEU Rate of Low-Energy Proton in Nano-SRAM Device
期刊论文
SYMMETRY-BASEL, 2020, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 10
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Liu, Tao
;
Sun, You-Mei
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/13
SRAM
single-event upset
on-orbit error rate
low-energy proton
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