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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Three-dimensional characteristics of the grain boundary networks of conventional and grain boundary engineered 316L stainless steel 期刊论文 MATERIALS CHARACTERIZATION, 2017, 卷号: 133, 页码: 60-69 作者:  Liu, Tingguang[1];  Xia, Shuang[2];  Zhou, Bangxin[3];  Bai, Qin[4];  Rohrer, Gregory S.[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 316L stainless steel  3D EBSD  Grain boundary engineering  Quadruple junction  Grain-cluster   Molecular Conductance through a Quadruple-Hydrogen-Bond-Bridged Supramolecular Junction 期刊论文 ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION, 2016, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 12393-12397 作者:  Wang, Lin;  Gong, Zhong-Liang;  Li, Shu-Ying;  Hong, Wenjing;  Zhong, Yu-Wu 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/01/17 electron transport  hydrogen bonds  molecular electronics  single-molecule junctions   Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7 作者:  Yang, WX(杨文献);  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  molecular beam epitaxy  photoluminescence  carrier luminescence relaxation time   Carrier recombination dynamics of MBE grown InGaAsP layers with 1 eV bandgap for quadruple-junction solar cells 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2014, 卷号: 127, 期号: 0, 页码: 1-5 作者:  Bian LF(边历峰);  Yang H(杨辉);  Lu SL(陆书龙);  Ji L(季莲) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/12/02 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Carrier recombination dynamics