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内容类型
期刊论文 [13]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
2010 [7]
2009 [4]
2008 [1]
学科主题
光电子学 [3]
光学材料;晶体 [1]
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Development and progress in piezotronics
期刊论文
NANO ENERGY, 2015
Wen, Xiaonan
;
Wu, Wenzhuo
;
Pan, Caofeng
;
Hu, Youfan
;
Yang, Qing
;
Wang, Zhong Lin
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
Piezotronic
Piezophototronic
Transistor
ZnO
Sensing
Performance enhancement
LIGHT-EMITTING-DIODES
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
INGAN QUANTUM-WELLS
SINGLE ZNO NANOWIRE
THIN-FILMS
ENHANCED PERFORMANCE
PIEZO-PHOTOTRONICS
DEVICES
GAN
ULTRAVIOLET
提高GaN基LED发光效率的研究
学位论文
2011, 2010
朱丽虹
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/07/17
GaN基LED
GaN-based LED
蒙托卡罗方法
Monte Carlo photon-raytracing method
MOCVD
MOCVD
InGaN/GaN 多量子阱
InGaN/GaN MQW
欧姆接触
ohmic contact
侧向外延过生长
LEO technique
极化效应
polarization effect.
内量子效率。
The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in ingan/gan single quantum wells with various cap layer thicknesses
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 5
作者:
Hu Xiao-Long
;
Zhang Jiang-Yong
;
Shang Jing-Zhi
;
Liu Wen-Jie
;
Zhang Bao-Ping
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Exciton-longitudinal-optical-phonon
Ingan/gan single quantum well
Gan cap layer
Huang-rhys factor
Effects of gan capping on the structural and the optical properties of inn nanostructures grown by using mocvd
期刊论文
Journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
作者:
Sun, Yuanping
;
Sun, Yuanping
;
Cho, Yong-Hoon
;
Wang, Hui
;
Wang, Lili
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Inn
Burstein-moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
Splitting of valance subbands in the wurtzite c-plane InGaN/GaN quantum well structure
期刊论文
2010, 2010
Song, Yu
;
Chen, Dong
;
Wang, Lai
;
Li, Hongtao
;
Xi, Guangyi
;
Jiang, Yang
收藏
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浏览/下载:1/0
The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses
期刊论文
2010
Hu, Xiao-Long
;
胡晓龙
;
Zhang, Jiang-Yong(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
;
Shang, Jing-Zhi(Nanyang Technol Univ, Div Phys & Appl Phys)
;
Liu, Wen-Jie
;
刘文杰
;
Zhang, Bao-Ping
;
张保平
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2011/04/26
exciton-longitudinal-optical-phonon
InGaN/GaN single quantum well
GaN cap layer
Huang-Rhys factor
The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117801
Hu XL (Hu Xiao-Long)
;
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong)
;
Shang JZ (Shang Jing-Zhi)
;
Liu WJ (Liu Wen-Jie)
;
Zhang BP (Zhang Bao-Ping)
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/12/28
exciton-longitudinal-optical-phonon
InGaN/GaN single quantum well
GaN cap layer
Huang-Rhys factor
Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 94009-1-94009-4
作者:
Duan Ruifei
;
Duan Ruifei
;
Ji Xiaoli
;
Ding Kai
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD
期刊论文
journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
Sun YP (Sun Yuanping)
;
Sun Y (Sun Yuanping)
;
Cho YH (Cho Yong-Hoon)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang LL (Wang Lili)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:513/2
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提交时间:2010/08/17
InN
Burstein-Moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
FUNDAMENTAL-BAND GAP
WELL STRUCTURES
EMISSION
SINGLE
Significant increase of light emission efficiency by in situ site-selective etching of InGaN quantum wells
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3176931, 2009
Fang, Zhilai
;
方志来
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
EMITTING DEVICES
GAN
STRAIN
REDUCTION
NITRIDE
GROWTH
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