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Atomic Layer Deposition of HfO2 Gate Dielectric with Surface Treatments and Post-metallization Annealing for Germanium MOSFETs
会议论文
作者:
Liu, Qifeng
;
Lam, Sang
;
Mu, Yifei
;
Zhao, Ce Zhou
;
Zhao, Yinchao
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Experimental Investigation of Ballistic Carrier Transport for Sub-100-nm Ge n-MOSFETs
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Cheng, Ran
;
Yin, Longxiang
;
Wu, Heng
;
Yu, Xiao
;
Zhang, Yanyan
;
Zheng, Zejie
;
Wu, Wangran
;
Chen, Bing
;
Ye, Peide D.
;
Liu, Xiaoyan
;
Zhao, Yi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Germanium MOSFETs
ballistic transport
pulsed IV
GeOI
self-heating effect
P-CHANNEL
Perspective analysis of tri gate germanium tunneling field-effect transistor with dopant segregation region at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017
Liu, Liang-kui
;
Shi, Cheng
;
Zhang, Yi-bo
;
Sun, Lei
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
ELECTRICAL-PROPERTIES
SCHOTTKY CONTACTS
MOSFETS
SWITCHES
LIMIT
STACK
Low frequency noise characterization of GeOx passivated germanium MOSFETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
作者:
Zhao C(赵超)
;
Fang W(方雯)
;
Luo J(罗军)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/05/31
Impact of nitrogen plasma passivation on the interface of germanium MOS capacitor
期刊论文
chinese physics b, 2014
Yun Quan-Xin
;
Li Ming
;
An Xia
;
Lin Meng
;
Liu Peng-Qiang
;
Li Zhi-Qiang
;
Zhang Bing-Xin
;
Xia Yu-Xuan
;
Zhang Hao
;
Zhang Xing
;
Huang Ru
;
Wang Yang-Yuan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
germanium
roughness
interface trap density
interfacial layer thickness
HYDROGEN
GE
DIELECTRICS
NITRIDATION
ROUGHNESS
OXIDATION
INSULATOR
Investigation of Random Telegraph Noise in the Dark Current of Germanium Waveguide Photodetector
期刊论文
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2014
Tu, Zhijuan
;
Zhou, Zhiping
;
Wang, Xingjun
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/10
Detectors
germanium
noise measurement
optoelectronic devices
SOLID-STATE DEVICES
SILICON
PHOTONICS
MOSFETS
SIGNAL
Comparative study of dopant-segregated Schottky barrier germanium nanowire transistors
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2014
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Xia, Yu-Qian
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
MOSFETS
SOURCE/DRAIN
HEIGHT
Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析
学位论文
2014, 2014
张茂添
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/01/12
HfO2/Ge,肖特基势垒,掺杂浓度,开态电流,关态电流,迁移率
HfO2/Ge, Schottky barrier, doping concentration, on-state current, off-state current, mobility
High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation
期刊论文
Chinese Physics B, 2013
作者:
Xue BQ(薛百清)
;
Wang SK(王盛凯)
;
Liu HG(刘洪刚)
;
Han L(韩乐)
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2014/10/27
Morphology and Electrical Performance Improvement of NiGe/Ge Contact by P and Sb Co-implantation
期刊论文
ieee electron device letters, 2013
Li, Zhiqiang
;
An, Xia
;
Li, Min
;
Yun, Quanxin
;
Lin, Meng
;
Li, Ming
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
Antimony
Ge MOSFET
NiGe
thermal stability
THERMAL-STABILITY
GERMANIUM
GE
SUBSTRATE
MOSFETS
ALLOY
SI
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