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	Atomic Layer Deposition of HfO2 Gate Dielectric with Surface Treatments and Post-metallization Annealing for Germanium MOSFETs
	Liu, Qifeng; Lam, Sang; Mu, Yifei; Zhao, Ce Zhou; Zhao, Yinchao; Fang, Yuxiao; Yang, Li; Taylor, Steve; Chalker, Paul R.
	2017
页码	491-494
会议录	2017 IEEE 17TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)
URL标识	查看原文
ISSN号	1944-9399
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2923485
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Liu, Qifeng,Lam, Sang,Mu, Yifei,et al. Atomic Layer Deposition of HfO2 Gate Dielectric with Surface Treatments and Post-metallization Annealing for Germanium MOSFETs[C]. 见:.

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