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Ultra-fast photodetectors based on high-mobility indium gallium antimonide nanowires
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 10
作者:
Li, Dapan
;
Lan, Changyong
;
Manikandan, Arumugam
;
Yip, Senpo
;
Zhou, Ziyao
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2019/06/14
Vertical-cavity surface-emitting laser
专利
专利号: WO2016139473A1, 申请日期: 2016-09-09, 公开日期: 2016-09-09
作者:
HAYNE, MANUS
;
HODGSON, PETER DAVID
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提交时间:2020/01/18
Photoluminescence Properties of the GaSb Nanostructures Irradiated by Femtosecond Laser
期刊论文
Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015, 卷号: 7, 期号: 2, 页码: 117-120
作者:
Fang, D.
;
X. Fang
;
Y. F. Li
;
B. Yao
;
H. F. Zhao
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/07/15
Heteroepitaxial growth of GaSb nanotrees with an ultra-low reflectivity in a broad spectral range
期刊论文
Nano Letters, 2012, 卷号: Vol.12 No.4, 页码: 1799-1805
作者:
Yan, C.
;
Li, X.
;
Zhou, K.
;
Pan, A.
;
Werner, P.
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/05
chemical
beam
epitaxial
growth
Gallium
antimonide
III-V
semiconductors
low-band
gap
semiconductors
nanostructured
materials
semiconductor
growth
Heteroepitaxial Growth of GaSb Nanotrees with an Ultra-Low Reflectivity in a Broad Spectral Range
期刊论文
Nano Letters, 2012, 卷号: Vol.12 No.4, 页码: 1799-1805
作者:
Yan, CL
;
Li, XP
;
Zhou, K
;
Pan, AL
;
Werner, P
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/05
Gallium antimonide
III?V semiconductors
low-band gap semiconductors
nanostructured materials
semiconductor growth
chemical beam epitaxial growththe cellogical sensinge)
rheologyture
Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Li Hui
;
Zhou Kai
;
Pang Jingbiao
;
Shao Yundong
;
Wang Zhu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Li Hui
;
Zhou Kai
;
Pang Jingbiao
;
Shao Yundong
;
Wang Zhu
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/02/02
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:52/10
  |  
提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers
期刊论文
Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
作者:
Hao, Ruiting
;
Deng, Shukang
;
Shen, Lanxian
;
Yang, Peizhi
;
Tu, Jielei
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/aluminum antimonide
Superlattices
Molecular beam epitaxy
Evaluation of thermal radiation dependent performance of gasb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
Solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
作者:
Wang, Y.
;
Chen, N. F.
;
Zhang, X. W.
;
Huang, T. M.
;
Yin, Z. G.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
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