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Enhanced Light Extraction of Flip-Chip Mini-LEDs with Prism-Structured Sidewall 期刊论文
Nanomaterials, 2019, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 8
作者:  B.Tang;  J.Miao;  Y.C.Liu;  H.Wan;  N.Li
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/09/17
Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires 期刊论文
NANOSCALE, 2017, 卷号: 9, 期号: 16, 页码: 5212-5221
Liu, Qingyun; Liu, Baodan; Yang, Wenjin; Yang, Bing; Zhang, Xinglai; Labbe, Christophe; Portier, Xavier; An, Vladimir; Jiang, Xin
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/08/17
原位SiNx预处理改善InGaN/GaN量子阱晶体质量与发光特性 学位论文
2016, 2016
黄德猛
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/06/20
n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389, 页码: 199-204
作者:  Wang, Minhuan;  Bian, Jiming;  Sun, Hongjun;  Liu, Weifeng;  Zhang, Yuzhi
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/02/24
Realization of nitride-oxide based p-n heterojunctions with the n-VO2/p-GaN/sapphire structure 期刊论文
MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2016, 卷号: 77, 页码: 199-204
作者:  Li, Xiaoxuan;  Bian, Jiming;  Wang, Minhuan;  Miao, Lihua;  Liu, Hongzhu
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2017/02/27
Graphene-assisted growth of high-quality AlN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016
Zeng, Qing; Chen, Zhaolong; Zhao, Yun; Wei, Tongbo; Chen, Xiang; Zhang, Yun; Yuan, Guodong; Li, Jinmin
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/04
Growth and characterization of VO2/p-GaN/sapphire heterostructure with phase transition properties 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 357, 页码: 282-286
作者:  Bian, Jiming;  Wang, Minhuan;  Miao, Lihua;  Li, Xiaoxuan;  Luo, Yingmin
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/01
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4
作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31
Reconstruction of thermal boundary resistance and intrinsic thermal conductivity of SiO2-GaN-sapphire structure and temperature dependence 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMAL SCIENCES, 2015, 卷号: 87, 期号: 0, 页码: 178-186
作者:  Xu, K (徐科)
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/01/16

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