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Large-Scale Epitaxial Growth of Ultralong Stripe BiFeO3 Films and Anisotropic Optical Properties 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 8557-8564
作者:  Wang, Han;  Wu, Haijun;  Chi, Xiao;  Li, Yangyang;  Zhou, Chenghang
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2022/07/01
Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文
ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:  P. Yang;  H. Yang;  Z. Wu;  F. Liao;  X. Guo
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/06/13
Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:  P. Yang;  H. F. Yang;  Z. Y. Wu;  F. Y. Liao;  X. J. Guo
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/14
Tuning ferroelectricity and ferromagnetism in BiFeO3/BiMnO3 superlattices 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 17, 页码: 9810-9816
作者:  
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/02/02
Tuning ferroelectricity and ferromagnetism in BiFeO3/BiMnO3 superlattices 期刊论文
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 17, 页码: 9810-9816
作者:  
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/02/02
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06
Integration of BaTiO3/CoFe2O4 multiferroic heterostructure on GaN semiconductor 期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2019, 卷号: 21, 期号: 43, 页码: 6545
作者:  
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/12/26
Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6
作者:  
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/05/22
Epitaxial growth of (111) BaTiO3 thin films on (0002) GaN substrates with SrTiO3/TiN buffer layers 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 9751
作者:  
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/26
Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者:  
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/24

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