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Large area and uniform CVD synthesized monolayer graphene on oxidized copper in a cold wall reactor
会议论文
IMAPS Nordic Annual Conference 2016, 2016-06-05
作者:
Mu, Wei[1]
;
Fu, Yifeng[2]
;
Edwards, Michael[3]
;
Jeppson, Kjell[4]
;
Liu, Johan[5]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/26
Controllable and fast synthesis of bilayer graphene by chemical vapor deposition on copper foil using a cold wall reactor
期刊论文
CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2016, 卷号: 304, 页码: 106-114
作者:
Mu, Wei[1]
;
Fu, Yifeng[2]
;
Sun, Shuangxi[3]
;
Edwards, Michael[4]
;
Ye, Lilei[5]
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/04/26
Bilayer graphene
Cold wall CVD
Controllable and fast
Copper
Nucleation activity
Enhanced cold wall CVD reactor growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes
期刊论文
ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 12, 页码: 329-337
作者:
Mu, Wei[1]
;
Kwak, Eun-Hye[2]
;
Chen, Bingan[3]
;
Huang, Shirong[4]
;
Edwards, Michael[5]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/26
horizontally aligned
SWCNTs
cold-wall
hot-wall
CVD
synthesis
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:72/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
GROWTH
Synthesis of Isotopically-Labeled Graphite Films by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition and Electronic Properties of Graphene Obtained from Such Films
期刊论文
NANO RESEARCH, 2009, 卷号: 2, 期号: 11, 页码: 851
Cai, WW
;
Piner, RD
;
Zhu, YW
;
Li, XS
;
Tan, ZB
;
Floresca, HC
;
Yang, CL
;
Lu, L
;
Kim, MJ
;
Ruoff, RS
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/24
DIAMOND
GROWTH
OXIDE
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:165/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940
作者:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵万顺
;
王雷
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
碳化硅
化学气相沉积
原子力显微镜
Raman
光致发光
Cold wall chemical vapor deposition
Epilayer
Homoepitaxial growth
Nomarski microscopy
Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6
期刊论文
semiconductor photonics and technology, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 134
作者:
Wang Yutian
;
Cheng Buwen
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630
Wang HM
;
Zeng YP
;
Zhou HW
;
Kong MY
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HALL ELEMENTS
GAAS
MISORIENTATION
DISTORTION
LAYERS
MBE
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