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Effects of heavy ion irradiation on Cu/Al2O3/Pt CBRAM devices 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2021, 期号: 247, 页码: 111600
作者:  Chaohui Su;  Linbo Shan;  Dongliang Yang;  Yanfei Zhao;  Yujun Fu
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/08
Effects of heavy ion irradiation on Cu/Al2O3/Pt CBRAM devices 期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2021, 卷号: 247, 页码: 4
作者:  Su, Chaohui;  Shan, Linbo;  Yang, Dongliang;  Zhao, Yanfei;  Fu, Yujun
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/08
Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Cao RR(曹荣荣);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Wang Y(王艳)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/07/12
Conning Cation Injection to Enhance CBRAM Performance by Nanopore Graphene Layer 期刊论文
small, 2017
作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/07/12
Impact of tungsten oxidation conditions on the performance of Al2O3/WOx-based CBRAM devices 期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2017
Chen, Z.; Belmonte, A.; Chen, C. Y.; Radhakrishnan, J.; Redolfi, A.; Kang, J.; Goux, L.; Kar, G. S.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
Confining Cation Injection to Enhance CBRAM Performance by Nanopore Graphene Layer 期刊论文
SMALL, 2017, 卷号: 13, 期号: 35
作者:  Zhao, Xiaolong;  Liu, Sen;  Niu, Jiebin;  Liao, Lei;  Liu, Qi
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05
Atomic Monte-Carlo Simulation for CBRAM with Various Filament Geometries 其他
2016-01-01
Zhao, Y. D.; Huang, P.; Guo, Z. H.; Lun, Z. Y.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
Impact of the Filament Morphology on the Retention Characteristics of Cu/Al2O3-based CBRAM devices 其他
2016-01-01
Ota, K.; Belmonte, A.; Chen, Z.; Redolfi, A.; Goux, L.; Kar, G. S.
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03
A Physics-Based Compact Model for Material- and Operation-Oriented Switching Behaviors of CBRAM 其他
2016-01-01
Zhao, Y. D.; Hu, J. J.; Huang, P.; Yuan, F.; Chai, Y.; Liu, X. Y.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
MEMORY  OXIDE  
Understanding of the abnormal unipolar resistance switching behavior in CBRAM 会议论文
作者:  Liu M(刘明);  Sun HT(孙海涛);  Liu Q(刘琦);  Xu DL(许定林);  Zhang KK(张科科)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/14

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