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AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
陈翔
收藏  |  浏览/下载:43/0  |  提交时间:2017/06/05
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏  |  浏览/下载:73/0  |  提交时间:2016/06/01
一种GaN衬底的制备方法 专利
专利号: CN102201332A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28
作者:  于彤军;  龙浩;  张国义;  吴洁君;  贾传宇
收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2020/01/18


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