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Improved carrier confinement and stimulated recombination rate in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried p-AlGaN inversion layer 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 146
作者:  Cui, Mei;  Gao, Yuanbin;  Hang, Sheng;  Qiu, Xuejiao;  Zhang, Yonghui
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/12/16
Acceptor Decoration of Threading Dislocations in ( Al , Ga ) N / Ga N Heterostructures 期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 024039
作者:  Rong Wang;   Xiaodong Tong;   Jianxing Xu;   Chenglong Dong;   Zhe Cheng;   Lian Zhang;   Shiyong Zhang;   Penghui Zheng;   Feng-Xiang Chen;   Yun Zhang;   Wei Tan
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/06/22
单根氧化锌微米线基异质结发光二极管研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  刘洋
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/08/24
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24
Damage to epitaxial GaN layer on Al2O3 by 290-MeV U-238(32+) ions irradiation 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 4121
作者:  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Li, J. J.;  Meng, Y. C.;  Yang, Y. T.
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/05/31
An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018
作者:  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Bao-Shun(张宝顺);  Wang, Yi-Qun(王逸群);  Fu, Kai(付凯)
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/03/27
Dislocation bending in GaN/step-graded (Al,Ga)N/AlN buffer layers on Si(111) investigated by STM and STEM 期刊论文
PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 2018, 卷号: 98, 期号: 34, 页码: 3072-3085
作者:  Zhang, Lei;  Portz, Verena;  Schnedler, Michael;  Jin, Lei;  Wang, Yuhan
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/11
溶胶-凝胶法制备异质外延c轴取向GaN薄膜研究 学位论文
2018
作者:  完彦少君
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/11/05
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载：437/0  |  提交时间：2017/06/05

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