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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
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Effects of rapid thermal annealing on the properties of aln films deposited by peald on algan/gan heterostructures 期刊论文
Rsc advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 47, 页码: 37881-37886
作者:  Cao, Duo;  Cheng, Xinhong;  Xie, Ya-Hong;  Zheng, Li;  Wang, Zhongjian
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/05/10
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6
作者:  Lu Yuan-Jie;  Feng Zhi-Hong;  Cai Shu-Jun;  Dun Shao-Bo;  Liu Bo
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Cai SJ(蔡树军);  Dun SB(敦少博);  Liu B(刘波)
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102
Ding JQ (Ding, Jieqin); Wang XL (Wang, Xiaoliang); Xiao HL (Xiao, Hongling); Wang CM (Wang, Cuimei); Chen H (Chen, Hong); Bi Y (Bi, Yang); Deng QW (Deng, Qinwen); Zhang JW (Zhang, Jingwen); Hou X (Hou, Xun)
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/26
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102
Ding, Jieqin; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Wang, Cuimei; Chen, Hong; Bi, Yang; Deng, Qinwen; Zhang, Jingwen; Hou, Xun
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/19
A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:  Ding, Jieqin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Chen, Hong
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/10
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
Chinese Physics B, 2012, 期号: 01, 页码: 414-418
作者:  Cao ZF(曹芝芳);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Luan CB(栾崇彪);  Yu YX(于英霞)
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
作者:  Cao Zhi-Fang;  Lin Zhao-Jun;  Lu Yuan-Jie;  Luan Chong-Biao;  Yu Ying-Xia
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7
作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Meng, Lingguo;  Luan, Chongbiao;  Cao, Zhifang
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