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| 低温生长铝镓砷光折变效应的研究 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者: 钟梓源; 何凯 ; 苑云; 汪韬; 高贵龙
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| 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 专利
专利号: CN105932543B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 吴瑞华
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 掺铝砷化镓光电特性的密度泛函理论研究 学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者: 邓愉凡
收藏 | 浏览/下载：63/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器 专利
专利号: CN108346973A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
作者: 徐现刚; 李沛旭
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体激光装置、光放大器及检测突发故障的迹象的方法 专利
专利号: CN104713704A, 申请日期: 2015-06-17, 公开日期: 2015-06-17
作者: 尾中美纪
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| 不同散热方式对多结太阳电池影响的研究 期刊论文
太阳能学报, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 2438
作者: 朱艳青; 黄华凛; 史继富; 康颐璞; 徐刚
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/30 |
| 一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器 专利
专利号: CN103457158A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2013-12-18
作者: 李沛旭; 徐现刚; 张新; 蒋锴; 汤庆敏
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| 一种超晶格波导半导体激光器结构 专利
专利号: CN103384046A, 申请日期: 2013-11-06, 公开日期: 2013-11-06
作者: 李特; 张月; 李再金; 郝二娟; 邹永刚
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 量子点分子发光器件 专利
专利号: CN102097564B, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2013-04-24
作者: 田芃; 黄黎蓉; 石中卫; 黄德修; 元秀华
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种单片垂直集成多波长半导体激光器及其制造方法 专利
专利号: CN102709813A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
作者: 佟存柱; 杨晔; 王立军
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
