一种超晶格波导半导体激光器结构 | |
李特; 张月; 李再金; 郝二娟; 邹永刚; 芦鹏; 曲轶; 刘国军; 马晓辉 | |
2013-11-06 | |
著作权人 | 长春理工大学 |
专利号 | CN103384046A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种超晶格波导半导体激光器结构 |
英文摘要 | 本发明属于光电子技术领域,是一种超晶格波导半导体激光器结构,从下到上依次包括:N型砷化镓衬底,该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料;N型砷化镓缓冲层,主要用以调节晶格适配度;N型下限制层,为铟镓砷磷四元化合物材料,用来限制光场向下的泄露;N型下波导层,为铟镓砷磷四元化合物材料,用来增加对光场模式的限制;量子阱层,该有源区材料为铟镓砷单量子阱;P型上超晶格波导层,为铝镓砷材料,用于调制波导的折射率;P型上波导层,为铝镓砷材料,用来增加对光场模式的限制;P型上限制层,为铝镓砷材料,用来限制光场向上的泄露;过渡层,为砷化镓材料;电极接触层,为砷化镓材料,用来与金属形成上电极。 |
公开日期 | 2013-11-06 |
申请日期 | 2013-01-15 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63710] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李特,张月,李再金,等. 一种超晶格波导半导体激光器结构. CN103384046A. 2013-11-06. |
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