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一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法 专利
专利号: CN103259190A, 申请日期: 2013-08-21, 公开日期: 2013-08-21
作者:  谢生;  郭婧;  毛陆虹;  张世林;  郭维廉
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一种条形掩埋分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利号: CN102368591B, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2013-04-24
作者:  许海明;  唐琦;  刘建军
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一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
作者:  周健华;  郝茂盛;  颜建锋;  潘尧波;  周圣明
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基于Al2O3衬底的GaN薄膜的生长方法 专利
专利号: CN100492592C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:  郝跃;  倪金玉;  张进成
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MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性 期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:  王保柱
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GaN基材料及其外延生长技术研究 期刊论文
微纳电子技术, 2008, 卷号: 第45卷 第3期, 页码: 153-157
作者:  刘一兵，黄新民，刘国华
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基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制 期刊论文
电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 4,738_740
作者:  刘新宇;  李诚瞻;  陈晓娟;  罗卫军
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γ-LiAlO2上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光谱特性研究 学位论文
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007
作者:  周健华
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金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  焦春美
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金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  焦春美
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