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| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽
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| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰
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| GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法 专利
专利号: CN107809057A, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2018-03-16
作者: 孙慧卿; 张秀; 郭志友; 侯玉菲; 汪鑫
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| 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法 专利
专利号: CN105088181B, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 王俊; 胡海洋; 贺云瑞; 邓灿; 王琦
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| 一种Si基大功率激光器及其制备方法 专利
专利号: CN106207752A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 李亮; 刘应军; 岳爱文; 王任凡
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| 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利
专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
作者: 岩田雅年; 大鹿嘉和
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| Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105429001A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23
作者: 舒斌; 吴继宝; 古牧; 范林西; 陈景明
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| 一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| 大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 闫欣
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