| 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法 | |
| 王俊; 胡海洋; 贺云瑞; 邓灿; 王琦; 段晓峰; 黄永清; 任晓敏 | |
| 2017-11-28 | |
| 著作权人 | 北京邮电大学 |
| 专利号 | CN105088181B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。 |
| 公开日期 | 2017-11-28 |
| 申请日期 | 2014-05-23 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49219]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,胡海洋,贺云瑞,等. 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法. CN105088181B. 2017-11-28. |
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