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发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响 期刊论文
核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: 48-52
作者:  刘默寒;  陆妩;  贾金成;  施炜雷;  王信
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/03/25
基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  贾金成
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/09/26
基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  贾金成
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/09/26
一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT 期刊论文
2010, 2010
徐阳; 张伟; 岳磊; 许军; XU Yang; ZHANG Wei; YUE Lei; XU Jun
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一种基于微流控芯片技术的流式细胞计数系统 期刊论文
传感器与微系统, 2009, 期号: 10
刘守坤; 苏显中; 金庆辉; 景奉香; 赵建龙
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162GHz自对准InP／InGaAs异质结双极型晶体管 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736
作者:  徐安怀;  于进勇;  刘新宇;  严北平;  苏树兵
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26
三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1604-1607
作者:  朱旻;  刘训春;  王润梅;  申华军;  杨威
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26
C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1612-1615
作者:  严北平;  吴德馨;  申华军;  陈延湖;  葛霁
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26
MBE生长的InP DHBT的性能 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 792-795
作者:  于进勇;  刘新宇;  王润梅;  刘训春;  苏树兵
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26
采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 434-437
作者:  齐鸣;  王润梅;  于进勇;  刘新宇;  苏树兵
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26

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