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| 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法 专利
专利号: CN201310086213.6, 申请日期: 2018-06-15, 公开日期: 2014-06-04
作者: 褚为利; 朱阳军 ; 田晓丽; 赵佳
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| 一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法 专利
专利号: CN201310224594.X, 申请日期: 2015-07-15, 公开日期: 2013-09-11
作者: 刘明; 霍宗亮; 刘璟; 张满红; 张康玮
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| 双栅电荷俘获存储器及其制作方法 专利
专利号: CN201210026182.0, 申请日期: 2015-06-17, 公开日期: 2013-08-14
作者: 刘璟; 王永; 谢常青; 刘明; 王晨杰
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| 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 专利
专利号: CN201110007408.8, 申请日期: 2015-01-14, 公开日期: 2012-07-18
作者: 殷华湘; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布 Temperature distribution of wafer with a doped silicon gate array during Rapid Thermal Process 期刊论文
2014, 卷号: 46, 页码: 124-128
作者: 王爱华[1]; 牛义红[1]; 刘宇[1]; 陈铁军[1]; 李立亚[2]
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| 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法 专利
专利号: CN200910236718.X, 申请日期: 2012-11-21, 公开日期: 2011-05-11
作者: 毕津顺; 韩郑生; 刘刚; 刘梦新; 陈蕾
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| 半导体器件制造方法 专利
申请日期: 2012-08-17,
作者: 殷华湘; 尹海洲; 王桂磊; 秦长亮
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| 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 专利
专利号: CN200810116043.0, 申请日期: 2012-03-21, 公开日期: 2010-01-06
作者: 韩郑生; 毕津顺; 宋文斌
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| 一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法 专利
申请日期: 2012-01-01,
作者: 朱阳军; 卢烁今; 赵佳; 田晓丽; 吴振兴
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| 一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 专利
申请日期: 2011-07-08,
作者: 周华杰; 徐秋霞
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