一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法

	一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法
	刘明; 霍宗亮; 刘璟; 张满红; 张康玮; 王永
	2015-07-15
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310224594.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法，该硅纳米晶存储器包括：刻蚀硅衬底表面而形成的凹槽；形成于该凹槽之中的硅纳米晶存储器的主体结构，该主体结构自下而上依次包括隧穿氧化层、硅纳米晶和栅间氧化层；覆盖于该硅衬底的凹槽区域之上的多晶硅栅；以及形成于该凹槽两侧硅衬底之中的源极和漏极。利用本发明，只需要在衬底上先刻蚀一个凹槽，再在凹槽上制作器件，方法简单，而且与传统CMOS工艺完全兼容，器件存储特性好，可靠性高，非常适合大规模生产的广泛应用，可以彻底避免外围器件制作过程中笑脸效应对硅纳米晶的氧化，使得器件的存储特性等到保证。
公开日期	2013-09-11
申请日期	2013-06-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15496]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,霍宗亮,刘璟,等. 一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法. CN201310224594.X. 2015-07-15.