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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
期刊论文
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2022/01/25
RADFETs
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法
专利
申请日期: 2021-02-19,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
李豫东
;
郭旗
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/12/02
一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
专利
申请日期: 2021-01-12,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
李小龙
;
魏莹
;
余学峰
收藏
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2021/12/02
双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究
期刊论文
核技术, 2021, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
蔡娇1,2,3
;
姚帅2,3,4
;
陆妩1,2,3
;
于新2,3
;
王信2,3
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/05/21
双极运算放大器
电离总剂量
单粒子瞬态
协同效应
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190
作者:
相传峰1,2
;
李小龙1
;
陆妩1,2
;
王信1
;
刘默寒1
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2022/01/25
温度效应
总剂量效应
界面陷阱电荷
GLPNP双极晶体管
高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2175-2182
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
收藏
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浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2022/01/25
高温环境
RADFETs
辐照响应
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
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