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等离子体鞘套中X射线通信传输理论与实验研究 期刊论文
光子学报, 2021, 卷号: 50, 期号: 11
作者:  苏桐;  盛立志;  刘永安;  张雪晗;  刘一凡
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2022/01/13
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号（英文） 期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:  刘炳凯1,2,3,4;  李豫东1,2,3;  文林1,2,3;  周东1,2,3;  郭旗1,2,3
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/03/07
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  王保顺
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/19
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15
金属网格大功率垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN109326958A, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
作者:  梁栋;  刘嵩
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30
130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究 期刊论文
北京航空航天大学学报, 2019, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 1137-1144
作者:  李赛;  陈睿;  韩建伟
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/17
半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者:  秦长亮;  王桂磊;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/26
半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者:  秦长亮;  徐强;  洪培真;  殷华湘;  尹海洲
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/03/26
一种FinFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者:  尹海洲;  刘云飞;  李睿
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/03/22
一种CMOS结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459563.7, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者:  李睿;  刘云飞;  尹海洲
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/03/22

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