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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 学位论文 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  江灵荣 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2019/03/28 斜切角,GaN,InGaN,表面形貌,光电特性