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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1996, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 6 作者:  陈光华;  卢阳华 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 光学带隙:5586  光学性质:4844  制备参数:4040  吸收系数:3909  衬底温度:2162  射频偏压:1843  退火温度:1403  反应室:1284  氢含量:1079  H膜:918  Preparation parameters