制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响

	制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响
	陈光华; 卢阳华
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	1996-11-08
卷号	17 期号:11 页码:6
关键词	光学带隙:5586 光学性质:4844 制备参数:4040 吸收系数:3909 衬底温度:2162 射频偏压:1843 退火温度:1403 反应室:1284 氢含量:1079 H膜:918 Preparation parameters
ISSN号	02534177
其他题名	Effects of deposit parameters and annealing on optical properties of a-C:H films
通讯作者	Chen, Guanghua
中文摘要	本文主要研究了制备参数和退火对ａ－Ｃ：Ｈ膜的光学性质的影响．得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映ａ－Ｃ：Ｈ膜电子能带结构的物理参数．结果表明，吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升，随反应室压强的升高而下降；光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降，随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ｔａ的升高，氢含量减少，带尾变宽，带隙变窄．
学科主题	714.3 Waveguides - 741.1 Light/Optics
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102152]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,卢阳华. 制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1996,17(11):6.
APA	陈光华,&卢阳华.(1996).制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,17(11),6.
MLA	陈光华,et al."制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 17.11(1996):6.