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| 一种半导体量子点子能级发光器件 专利
专利号: CN102957093A, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2013-03-06
作者: 刘惠春; 傅爱兵
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| 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 020703-1-020703-5
作者: 牛智川 ; 王杰; 杨晓红; 韩勤; 贺继方
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2011/08/16 |
| 半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究 期刊论文
物理学报, 2010, 期号: 03
黎华; 韩英军; 谭智勇; 张戎; 曹俊诚
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 太赫兹量子级联激光器的材料生长与表征 学位论文
硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
常俊
收藏 | 浏览/下载：58/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 太赫兹量子级联激光器的材料生长及表征 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009
常俊
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 解理面预处理方法对二次外延的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548
作者: 陈涌海; 徐波
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 1411-1414
作者: 刘林生; 王文新; 刘肃; 赵宏鸣; 刘宝利
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| GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2007, 期号: 04
谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 气态源分子束外延材料生长及特性和量子级联激光器材料生长研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2007
李华
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 半导体太赫兹相干光源器件 专利
专利号: CN1225826C, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2005-11-02
作者: 陆卫; 江俊; 陈效双; 李宁; 李志锋
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
