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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究 学位论文 2016, 2014 李晓莹 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/06/20 氮化镓  垂直结构发光二极管  In组分渐变多量子阱  低压激光剥离  侧壁粗化。  GaN  vertical-structured light-emitting diodes  graded-indium content multiple quantum wells  low-pressure laser lift-off  sidewall texturing   侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究 期刊论文 2015 李晓莹; 朱丽虹; 邓彪; 张玲; 刘维翠; 曾凡明; 刘宝林 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 GaN  发光二极管  感应耦合等离子体(ICP)刻蚀  侧壁粗化  出光效率  GaN  light-emitting diode(LED)  inductively coupled plasma(ICP)etching  sidewall texturing  light output efficiency   焊剂带约束电弧超窄间隙焊接方法研究 学位论文 2007 作者:  郑韶先 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/11/05 超窄间隙焊接  焊剂片约束电弧  焊剂带约束电弧  电弧特性  焊缝成形   全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 作者:  伊晓燕 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/31