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| 低温生长铝镓砷光折变效应的研究 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者: 钟梓源; 何凯 ; 苑云; 汪韬; 高贵龙
  收藏 | 浏览/下载：59/0 | 提交时间：2019/09/24
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| 砷化镓激光巴条 专利
专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱 期刊论文
物理学报, 2017, 页码: 336-342
作者: 樊正富[1]; 谭智勇[2]; 万文坚[3]; 邢晓[4]; 林贤[5]
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/04/24
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| 低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱 期刊论文
物理学报, 2017, 卷号: 66, 页码: 087801
作者: 樊正富[1]; 谭智勇[2]; 万文坚[3]; 邢晓[4]; 林贤[5]
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/04/24
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| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利号: CN103579902B, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13
作者: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
收藏 | 浏览/下载：227/0 | 提交时间：2015/05/03
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| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2014
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收藏 | 浏览/下载：297/0 | 提交时间：2016/11/06
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| 辐照法制备太赫兹波发射晶体的机理研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海应用物理研究所）, 2014
黄灿
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2015/03/13
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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利号: CN102208756B, 申请日期: 2012-09-05, 公开日期: 2012-09-05
作者: 汪明; 杨涛
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/26 |
