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| Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气的第一性原理计算 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 何慧卉
  收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2021/06/11 |
| (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏 | 浏览/下载：435/0 | 提交时间：2017/06/05
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| 氮化物半导体发光元件 专利
专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 窄禁带半导体InGaAs和HgCdTe的磁输运性质研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 魏来明
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2012/09/11
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| 二维空穴气中电流诱导的自旋极化 会议论文
中国甘肃兰州 第十六届全国半导体物理学术会议
刘朝星; 周斌; 沈顺清; 朱邦芬
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/15
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| p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 217302-1-217302-6
王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2013/05/29 |
| AlGaN p-i-n型日盲探测器及AlGaN/PZT紫外/红外双色器件研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 李超
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2012/09/11
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| 提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文
2011, 2010
朱丽虹
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2013/07/17
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| 二维空穴气中电流诱导的自旋极化 会议论文
第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集, 第十六届全国半导体物理学术会议, 中国甘肃兰州, CNKI, 兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所
刘朝星; 周斌; 沈顺清; 朱邦芬
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| 应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究 期刊论文
2010, 2010
赵寄; 邹建平; 谭耀华; 余志平; Zhao Ji; Zou Jianping; Tan Yaohua; Yu Zhiping
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