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| 催化剂及时间对氧化镓表面形貌及结构的影响 期刊论文 2018, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 76-81 作者: 孟津[1]; 李玉国[1]; 王路[1]
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| 温度对氧化镓纳米材料形貌及结构性质的影响 期刊论文 2016, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 64-68 作者: 王玉萍; 李玉国; 耿树吉
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| LMBE法异质外延β-Ga2O3薄膜及其紫外和发光特性的研究 期刊论文 2012, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 52-54 作者: 郭进进[1]; 刘爱华[1]; 满宝元[1]; 刘枚[1]; 姜守振[1]
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| 氨化温度对氨化Si基Ga2O3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响 期刊论文 2009, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 595-597 作者: 王邹平[1]; 薛成山[1]; 庄惠照[1]; 王英[1]; 张冬冬[1]
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| 棒状氧化镓的合成和发光性质研究 期刊论文 2008, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 681-683 作者: 张士英[1]; 庄惠照[1]; 薛成山[1]; 李保理[1]
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| 氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响 期刊论文 2008, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 331-333 作者: 庄惠照[1]; 胡丽君[1]; 薛成山[1]; 薛守斌[1]
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| 硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜 期刊论文 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 853-858 作者: 孙振翠[1]; 曹文田[2]; 王书运[2]; 薛成山[2]; 伊长虹[1]
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| 氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管 期刊论文 2007, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 121-123 作者: 庄惠照[1]; 高海永[1]; 薛成山[1]; 王书运[1]; 何建廷[1]
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| 氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜 期刊论文 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 231-233 作者: 王福学[1]; 薛成山[1]; 庄惠照[1]; 张晓凯[1]; 艾玉杰[1]
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| 氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜 期刊论文 2007, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 1632-1634 作者: 薛成山[1]; 王福学[1]; 庄惠照[1]; 张晓凯[1]; 艾玉杰[1]
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