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电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文
原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372
作者: 姬庆刚; 刘杰; 李东青; 刘天奇; 叶兵

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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹

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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹

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静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 郑齐文

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静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者: 郑齐文

收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2015/06/15

累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 387-392
作者: 肖尧; 郭红霞; 张凤祁; 赵雯; 王燕萍

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不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者: 卢健; 余学峰; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵

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总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
作者: 郑齐文; 余学峰; 崔江维; 郭旗; 任迪远

收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2013/11/06

总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
作者: 郑齐文; 余学峰; 崔江维; 郭旗; 任迪远

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不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者: 卢健; 余学峰; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵

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