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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：北京航空航天大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polarity-dependent resistance switching in crystalline Ge1Sb4Te7 film 期刊论文 AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9 作者:  Liu, Bin;  Hu, Shuwei;  Zhou, Jian;  Sun, Zhimei 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/30 Amorphous materials  Antimony compounds  Calculations  Crystalline materials  Energy utilization  Germanium compounds  Phase change memory  Switching  Tellurium compounds  Van der Waals forces  Ab initio calculations  Amorphous chalcogenide  Density difference  Density variations  High energy consumption  Phase change memory (pcm)  Resistance switching  Reversible phase transition  Phase change materials   PSI Conscious Write Scheduling: Architectural Support for Reliable Power Delivery in 3-D Die-Stacked PCM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2016, 卷号: 24, 页码: 1613-1625 作者:  Wang, Ying;  Han, Yinhe;  Li, Huawei;  Zhang, Lei;  Cheng, Yuanqing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 3-D integration  IR-drop  phase-change memory (PCM)  through-silicon-via (TSV)  write throughput