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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and Temperature-Depending Raman Characterization of Different Nitrogen-Doped 4H-SiC Crystals 期刊论文 Materials Science Forum, 2017, 期号: 897, 页码: 307-310 作者:  Xiang Long.Yang;  Xiu Fang.Chen;  Yan.Peng;  Xue Jian.Xi 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11 Raman Spectra,Electrical Properties,N-Doped SiC,Phonon Lifetime   Growth and temperature-depending raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals 会议论文 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016, 25 September 2016 through 29 September 2016 作者:  Yang, X.L.;  Chen, X.F.;  Peng, Y.;  Xie, X.J.;  Hu, X.B. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 Electrical properties  N-doped SiC  Phonon lifetime  Raman spectra