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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2010 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned gaas (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Jin, Peng
;
Xu, Bo
;
Ye, Xiaoling
收藏
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浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2011/07/26
Optical properties of mn+ doped gaas
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Liao, Shuzhi
;
Zhang, Fasheng
;
Liu, Junpeng
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Ion implantation
Manganese
Gaas
Optical properties of Mn+ doped GaAs
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787
Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Liao SZ (Liao Shuzhi)
;
Zhang FS (Zhang Fasheng)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:176/22
  |  
提交时间:2010/08/17
Photoluminescence
Ion implantation
Manganese
GaAs
ION-IMPLANTATION
SEMICONDUCTORS
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