QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Competitive conductive mechanism of interstitial Ag and oxygen vacancies in Ag/Ta 2 O 5 /Pt stack 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2019, 卷号: 126, 期号: 6, 页码: 065104 作者:  Qi Hu;   Zhiqiang Fan;   Anping Huang;   Xinjiang Zhang;   Rumeng Zhao;   Qin Gao;   Yuhang Ji;   Wenzhen Dou;   Mei Wang;   Hongliang Shi;   Zhisong Xiao;   Xiangwei Jiang;   Paul K. Chu 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/07/30