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	Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned in0.32ga0.68as/gaas quantum dots superlattices 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 作者: Zhuang, QD; Yoon, SF; Li, HX; Li, JM; Zeng, YP 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2019/05/12 Quantum dots Superlattice Vertical alignment Photoluminescence Infrared absorption
	Increasing the photoluminescence intensity of ge islands by chemical etching 期刊论文 Chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者: Gao, F; Huang, CJ; Huang, DD; Li, JP; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/05/12 Ge islands Chemical etching Photoluminescence Si2h6-ge molecular beam epitaxy
	Changing the size and shape of ge island by chemical etching 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者: Gao, F; Huang, CJ; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy Etching Nanostructures Molecular beam epitaxy Semiconducting germanium Semiconducting silicon
	Effects of annealing time and si cap layer thickness on the si/sige/si heterostructures thermal stability 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 766-769 作者: Gao, F; Lin, YX; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2019/05/12 Annealing Molecular beam epitaxy Germanium silicon alloys Semiconducting materials
	Growth of sige heterojunction bipolar transistor using si2h6 gas and ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者: Gao, F; Huang, DD; Li, JP; Kong, MY; Sun, DZ 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy Semiconducting gegermanium Semiconducting silicon Bipolar transistors Heterojunction semiconductor devices
	Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 Zhuang QD; Yoon SF; Li HX; Li JM; Zeng YP; Kong MY; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：93/7 \| 提交时间：2010/08/12 quantum dots superlattice vertical alignment photoluminescence infrared absorption INFRARED PHOTODETECTORS GROWTH PHOTOLUMINESCENCE HETEROSTRUCTURES SPECTROSCOPY DETECTOR
	Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：108/9 \| 提交时间：2010/08/12 Ge islands chemical etching photoluminescence Si2H6-Ge molecular beam epitaxy QUANTUM DOTS
	Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：149/5 \| 提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy semiconducting gegermanium semiconducting silicon bipolar transistors heterojunction semiconductor devices POWER
	Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：97/14 \| 提交时间：2010/08/12 annealing molecular beam epitaxy germanium silicon alloys semiconducting materials STRAIN RELAXATION
	Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：175/52 \| 提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy etching nanostructures molecular beam epitaxy semiconducting germanium semiconducting silicon QUANTUM DOTS INAS GROWTH STRAIN

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