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半导体研究所 [32]
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Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544
Cui JP
;
Duan Y
;
Wang XF
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:220/122
  |  
提交时间:2010/03/08
ZnO film
Strain status
GaN buffer layer
Sapphire
MVPE
A new technique for boosting efficiency of silicon solar cells
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2005, 卷号: 86, 期号: 4, 页码: 585-591
Li JM
;
Chong M
;
Yang LQ
;
Xu JD
;
Duan XF
;
Gao M
;
Wang FL
;
Liu HT
;
Bian L
;
Chi X
;
Zhai YH
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/17
silicon
A V-shaped module technique for promoting generation photocurrent density of silicon solar cells
会议论文
5th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, may 31-jun 02, 2004
Li, JM
;
Chong, M
;
Duan, XF
;
Xu, JD
;
Gao, M
;
Wang, FL
收藏
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浏览/下载:160/34
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提交时间:2010/03/29
silicon
solar cells
V-shaped structure
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:251/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN
期刊论文
journal of materials science letters, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581-1583
Hu GQ
;
Kong X
;
Wang YQ
;
Wan L
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURES
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
Polarity determination for GaN thin films by electron energy-loss spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 11, 页码: 1990-1992
Kong X
;
Hu GQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
DELOCALIZATION CORRECTIONS
ENHANCED MICROANALYSIS
SINGLE-CRYSTALS
DIFFRACTION
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976
作者:
Han PD
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浏览/下载:76/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
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