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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Two-dimensional hexagonal boron–carbon–nitrogen atomic layers 期刊论文 Nanoscale, 2019, 卷号: 11, 期号: 21, 页码: 10454-10462 作者:  Likun Cheng;  Junhua Meng;  Xiaojun Pan;  Yong Lu;  Xingwang Zhang;  Menglei Gao;  Zhigang Yin;  Denggui Wang;  Ye Wang;  Jingbi You;  Jicai Zhang;  Erqing Xie 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/07/31 Remote heteroepitaxy of atomic layered hafnium disulfide on sapphire through hexagonal boron nitride 期刊论文 Nanoscale, 2019, 卷号: 11, 期号: 19, 页码: 9310-9318 作者:  Denggui Wang;   Yong Lu;   Junhua Meng;   Xingwang Zhang;   Zhigang Yin;   Menglei Gao;   Ye Wang;   Likun Cheng;   Jingbi You ;   Jicai Zhang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/08/05 III 族氮化物结构与光学性质的研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005 张纪才 收藏  |  浏览/下载：20/7  |  提交时间：2009/04/13 p型GaN的掺杂研究 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 508-512 作者:  金瑞琴;  朱建军;  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：98/2  |  提交时间：2010/11/23 GaN生长速率的研究 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 726-729 作者:  金瑞琴;  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650 作者:  Wang Yutian 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥 期刊论文 物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333 刘仕锋; 秦国刚; 尤力平; 张纪才; 傅竹西; 戴伦 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文 物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23